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pmos電流流向(pmos)

導(dǎo)讀 關(guān)于pmos電流流向,pmos這個問題很多朋友還不知道,今天小六來為大家解答以上的問題,現(xiàn)在讓我們一起來看看吧!1、PMOS管應(yīng)用原理PMOS的工

關(guān)于pmos電流流向,pmos這個問題很多朋友還不知道,今天小六來為大家解答以上的問題,現(xiàn)在讓我們一起來看看吧!

1、PMOS管應(yīng)用原理PMOS的工作原理與NMOS相類似。

2、因?yàn)镻MOS是N型硅襯底,其中的多數(shù)載流子是空穴,少數(shù)載流子是電子,源漏區(qū)的摻雜類型是P型,所以,PMOS的工作條件是在柵上相對于源極施加負(fù)電壓,亦即在PMOS的柵上施加的是負(fù)電荷電子,而在襯底感應(yīng)的是可運(yùn)動的正電荷空穴和帶固定正電荷的耗盡層,不考慮二氧化硅中存在的電荷的影響,襯底中感應(yīng)的正電荷數(shù)量就等于PMOS柵上的負(fù)電荷的數(shù)量。

3、當(dāng)達(dá)到強(qiáng)反型時,在相對于源端為負(fù)的漏源電壓的作用下,源端的正電荷空穴經(jīng)過導(dǎo)通的P型溝道到達(dá)漏端,形成從源到漏的源漏電流。

4、同樣地,VGS越負(fù)(絕對值越大),溝道的導(dǎo)通電阻越小,電流的數(shù)值越大。

5、與NMOS一樣,導(dǎo)通的PMOS的工作區(qū)域也分為非飽和區(qū),臨界飽和點(diǎn)和飽和區(qū)。

6、當(dāng)然,不論NMOS還是PMOS,當(dāng)未形成反型溝道時,都處于截止區(qū),其電壓條件是VGSVTP (PMOS),值得注意的是,PMOS的VGS和VTP都是負(fù)值。

7、PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。

8、PMOS集成電路采用-24V電壓供電。

9、CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。

10、采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。

11、MOS場效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗,在電路中便于直接耦合,容易制成規(guī)模大的集成電路。

12、各種場效應(yīng)管特性比較在2004年12月的國際電子器件會議(IEDM)上表示:雙應(yīng)力襯墊(DSL)方法導(dǎo)致NMOS和PMOS中的有效驅(qū)動電流分別增加15%和32%,飽和驅(qū)動電流分別增加11%和20%。

13、PMOS的空穴遷移率在不使用SiGe的情況下可以提高60%,這已經(jīng)成為其他應(yīng)變硅研究的焦點(diǎn)。

14、PMOS管pmos ? ?PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運(yùn)送電流的MOS管 ? 全稱 : positive channel Metal Oxide Semiconductor ? 別名 : positive MOS。

本文分享完畢,希望對大家有所幫助。

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