導(dǎo)讀 關(guān)于mos晶體管和三極管的區(qū)別這個問題很多朋友還不知道，今天小六來為大家解答以上的問題，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！1、三極管BJT與場效應(yīng)
關(guān)于mos晶體管和三極管的區(qū)別這個問題很多朋友還不知道，今天小六來為大家解答以上的問題，現(xiàn)在讓我們一起來看看吧！
1、三極管BJT與場效應(yīng)管FET的區(qū)別很多，簡單列出幾條：BJT放大電流，F(xiàn)ET將柵極電壓轉(zhuǎn)換為漏極電流。
2、BJT第一參數(shù)是電流放大倍數(shù)β值，F(xiàn)ET第一參數(shù)是跨導(dǎo)gm；2、BJT線性較差，F(xiàn)ET線性較好；3、BJT噪聲較大，F(xiàn)ET噪聲較??；4、BJT極性只有NPN和PNP兩類，F(xiàn)ET極性有N溝道、P溝道，還有耗盡型和增強型所以FET選型和使用都比較復(fù)雜；5、BJT輸入電阻小，消耗電流大，F(xiàn)ET輸入電阻很大，幾乎不消耗電流；總的看，無論在分立元件電路還是集成電路中，F(xiàn)ET替代BJT都是一個大趨勢。
本文分享完畢，希望對大家有所幫助。
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