全球半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者三星電子今天宣布，它已開始量產(chǎn)其首款基于該公司 28 納米 (nm) 全耗盡絕緣體上硅 (FD) 的商用嵌入式磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (eMRAM) 產(chǎn)品。 -SOI)工藝技術(shù)，稱為28FDS。
由于eFlash由于基于電荷存儲(chǔ)的操作而面臨可擴(kuò)展性挑戰(zhàn)，因此eMRAM是最有前途的繼任者，因?yàn)槠浠陔娮璧牟僮骶哂袕?qiáng)大的可擴(kuò)展性，同時(shí)還具有非易失性、隨機(jī)訪問和強(qiáng)耐久性等存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的突出技術(shù)特性. 通過今天的發(fā)布，三星證明了其克服技術(shù)障礙的能力，并展示了將嵌入式存儲(chǔ)器技術(shù)進(jìn)一步擴(kuò)展到 28 納米工藝節(jié)點(diǎn)及以上的可能性。
三星基于 28FDS 的 eMRAM 解決方案以更低的成本提供了前所未有的功率和速度優(yōu)勢(shì)。由于 eMRAM 在寫入數(shù)據(jù)之前不需要擦除周期，因此其寫入速度大約比 eFlash 快一千倍。此外，eMRAM 使用比 eFlash 更低的電壓，并且在斷電模式下不消耗電力，從而具有很高的電源效率。
此外，由于eMRAM模塊可以通過添加最少的層數(shù)輕松插入到工藝后端，因此對(duì)工藝前端的依賴較小，易于與現(xiàn)有邏輯技術(shù)(例如bulk、鰭片和 FD-SOI 晶體管。借助這種插件模塊概念，客戶可以享受重新利用現(xiàn)有設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施的好處，即使使用這項(xiàng)新增的 eMRAM 技術(shù)，同時(shí)還能節(jié)省成本。
通過與 28FD-SOI 相結(jié)合以實(shí)現(xiàn)更好的晶體管控制并通過體偏置控制最大限度地減少漏電流，三星的 eMRAM 解決方案將為包括微控制器單元 (MCU)、物聯(lián)網(wǎng) (IoT) 和人工智能在內(nèi)的各種應(yīng)用提供差異化??優(yōu)勢(shì)(人工智能)。
“在克服新材料的復(fù)雜挑戰(zhàn)后，我們?yōu)樘峁┱_的嵌入式非易失性存儲(chǔ)器 (eNVM) 技術(shù)的這一成就感到非常自豪。” 三星電子代工營(yíng)銷副總裁 Ryan Lee 說。“通過將 eMRAM 與現(xiàn)有經(jīng)過驗(yàn)證的邏輯技術(shù)集成，三星代工廠繼續(xù)擴(kuò)展其 eNVM 工藝組合，以提供獨(dú)特的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)和卓越的可制造性，以滿足客戶和市場(chǎng)需求。”
慶祝第一批 eMRAM 產(chǎn)品出貨的儀式將于 3 月 6 日在韓國(guó)三星機(jī)興園區(qū)舉行。三星計(jì)劃擴(kuò)大其高密度 eNVM 解決方案的選擇，包括在今年內(nèi)推出 1Gb eMRAM 測(cè)試芯片。
標(biāo)簽： 三星
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