二極管特性圖（二極管特性）

關(guān)于二極管特性圖，二極管特性這個(gè)問(wèn)題很多朋友還不知道，今天小六來(lái)為大家解答以上的問(wèn)題，現(xiàn)在讓我們一起來(lái)看看吧！

1、二極管的特性：正向性外加正向電壓時(shí)，在正向特性的起始部分，正向電壓很小，不足以克服PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)的阻擋作用，正向電流幾乎為零，這一段稱(chēng)為死區(qū)。

2、這個(gè)不能使二極管導(dǎo)通的正向電壓稱(chēng)為死區(qū)電壓。

3、當(dāng)正向電壓大于死區(qū)電壓以后，PN結(jié)內(nèi)電場(chǎng)被克服，二極管正向?qū)?，電流隨電壓增大而迅速上升。

4、在正常使用的電流范圍內(nèi)，導(dǎo)通時(shí)二極管的端電壓幾乎維持不變，這個(gè)電壓稱(chēng)為二極管的正向電壓。

5、當(dāng)二極管兩端的正向電壓超過(guò)一定數(shù)值，內(nèi)電場(chǎng)很快被削弱，特性電流迅速增長(zhǎng)，二極管正向?qū)ā?/p>

6、叫做門(mén)坎電壓或閾值電壓，硅管約為0.5V，鍺管約為0.1V。

7、硅二極管的正向?qū)▔航导s為0.6~0.8V，鍺二極管的正向?qū)▔航导s為0.2~0.3V。

8、2、反向性外加反向電壓不超過(guò)一定范圍時(shí)，通過(guò)二極管的電流是少數(shù)載流子漂移運(yùn)動(dòng)所形成反向電流。

9、由于反向電流很小，二極管處于截止?fàn)顟B(tài)。

10、這個(gè)反向電流又稱(chēng)為反向飽和電流或漏電流，二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。

11、一般硅管的反向電流比鍺管小得多，小功率硅管的反向飽和電流在nA數(shù)量級(jí)，小功率鍺管在μA數(shù)量級(jí)。

12、溫度升高時(shí)，半導(dǎo)體受熱激發(fā)，少數(shù)載流子數(shù)目增加，反向飽和電流也隨之增加。

13、1）、擊穿外加反向電壓超過(guò)某一數(shù)值時(shí)，反向電流會(huì)突然增大，這種現(xiàn)象稱(chēng)為電擊穿。

14、引起電擊穿的臨界電壓稱(chēng)為二極管反向擊穿電壓。

15、電擊穿時(shí)二極管失去單向?qū)щ娦浴?/p>

16、如果二極管沒(méi)有因電擊穿而引起過(guò)熱，則單向?qū)щ娦圆灰欢〞?huì)被永久破壞，在撤除外加電壓后，其性能仍可恢復(fù)，否則二極管就損壞了。

17、因而使用時(shí)應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過(guò)高。

18、二極管是一種具有單向?qū)щ姷亩似骷?，有電子二極管和晶體二極管之分，電子二極管因?yàn)闊艚z的熱損耗，效率比晶體二極管低，所以現(xiàn)已很少見(jiàn)到，比較常見(jiàn)和常用的多是晶體二極管。

19、二極管的單向?qū)щ娞匦?，幾乎在所有的電子電路中，都要用到半?dǎo)體二極管，它在許多的電路中起著重要的作用，它是誕生最早的半導(dǎo)體器件之一，其應(yīng)用也非常廣泛。

20、二極管的管壓降：硅二極管（不發(fā)光類(lèi)型）正向管壓降0.7V，鍺管正向管壓降為0.3V，發(fā)光二極管正向管壓降會(huì)隨不同發(fā)光顏色而不同。

21、主要有三種顏色，具體壓降參考值如下：紅色發(fā)光二極管的壓降為2.0--2.2V，黃色發(fā)光二極管的壓降為1.8—2.0V，綠色發(fā)光二極管的壓降為3.0—3.2V，正常發(fā)光時(shí)的額定電流約為20mA。

22、二極管的電壓與電流不是線(xiàn)性關(guān)系，所以在將不同的二極管并聯(lián)的時(shí)候要接相適應(yīng)的電阻。

23、2）、特性曲線(xiàn)與PN結(jié)一樣，二極管具有單向?qū)щ娦浴?/p>

24、硅二極管典型伏安特性曲線(xiàn)（圖）。

25、在二極管加有正向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極?。划?dāng)電壓超過(guò)0.6V時(shí)，電流開(kāi)始按指數(shù)規(guī)律增大，通常稱(chēng)此為二極管的開(kāi)啟電壓；當(dāng)電壓達(dá)到約0.7V時(shí)，二極管處于完全導(dǎo)通狀態(tài)，通常稱(chēng)此電壓為二極管的導(dǎo)通電壓，用符號(hào)UD表示。

26、對(duì)于鍺二極管，開(kāi)啟電壓為0.2V，導(dǎo)通電壓UD約為0.3V。

27、在二極管加有反向電壓，當(dāng)電壓值較小時(shí)，電流極小，其電流值為反向飽和電流IS。

28、當(dāng)反向電壓超過(guò)某個(gè)值時(shí)，電流開(kāi)始急劇增大，稱(chēng)之為反向擊穿，稱(chēng)此電壓為二極管的反向擊穿電壓，用符號(hào)UBR表示。

29、不同型號(hào)的二極管的擊穿電壓UBR值差別很大，從幾十伏到幾千伏。

30、3、反向擊穿1）、齊納擊穿反向擊穿按機(jī)理分為齊納擊穿和雪崩擊穿兩種情況。

31、在高摻雜濃度的情況下，因勢(shì)壘區(qū)寬度很小，反向電壓較大時(shí)，破壞了勢(shì)壘區(qū)內(nèi)共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)，使價(jià)電子脫離共價(jià)鍵束縛，產(chǎn)生電子-空穴對(duì)，致使電流急劇增大，這種擊穿稱(chēng)為齊納擊穿。

32、如果摻雜濃度較低，勢(shì)壘區(qū)寬度較寬，不容易產(chǎn)生齊納擊穿。

33、2）、雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。

34、當(dāng)反向電壓增加到較大數(shù)值時(shí)，外加電場(chǎng)使電子漂移速度加快，從而與共價(jià)鍵中的價(jià)電子相碰撞，把價(jià)電子撞出共價(jià)鍵，產(chǎn)生新的電子-空穴對(duì)。

35、新產(chǎn)生的電子-空穴被電場(chǎng)加速后又撞出其它價(jià)電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱(chēng)為雪崩擊穿。

36、無(wú)論哪種擊穿，若對(duì)其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)永久性損壞。

37、主要參數(shù)：用來(lái)表示二極管的性能好壞和適用范圍的技術(shù)指標(biāo)，稱(chēng)為二極管的參數(shù)。

38、不同類(lèi)型的二極管有不同的特性參數(shù)。

39、對(duì)初學(xué)者而言，必須了解以下幾個(gè)主要參數(shù)：最大整流電流IF是指二極管長(zhǎng)期連續(xù)工作時(shí)，允許通過(guò)的最大正向平均電流值，其值與PN結(jié)面積及外部散熱條件等有關(guān)。

40、因?yàn)殡娏魍ㄟ^(guò)管子時(shí)會(huì)使管芯發(fā)熱，溫度上升，溫度超過(guò)容許限度（硅管為141左右，鍺管為90左右）時(shí)，就會(huì)使管芯過(guò)熱而損壞。

41、所以在規(guī)定散熱條件下，二極管使用中不要超過(guò)二極管最大整流電流值。

42、例如，常用的IN4001－4007型鍺二極管的額定正向工作電流為1A。

43、2、最高反向工作電壓Udrm加在二極管兩端的反向電壓高到一定值時(shí)，會(huì)將管子擊穿，失去單向?qū)щ娔芰Α?/p>

44、為了保證使用安全，規(guī)定了最高反向工作電壓值。

45、例如，IN4001二極管反向耐壓為50V，IN4007反向耐壓為1000V。

46、3、反向電流Idrm反向電流是指二極管在常溫（25℃）和最高反向電壓作用下，流過(guò)二極管的反向電流。

47、反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩?/p>

48、值得注意的是反向電流與溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。

49、例如2AP1型鍺二極管，在25℃時(shí)反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類(lèi)推，在75℃時(shí)，它的反向電流已達(dá)8mA，不僅失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會(huì)使管子過(guò)熱而損壞。

50、又如，2CP10型硅二極管，25℃時(shí)反向電流僅為5uA，溫度升高到75℃時(shí)，反向電流也不過(guò)160uA。

51、故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。

52、4.動(dòng)態(tài)電阻Rd二極管特性曲線(xiàn)靜態(tài)工作點(diǎn)Q附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比。

53、5最高工作頻率FmFm是二極管工作的上限頻率。

54、因二極管與PN結(jié)一樣，其結(jié)電容由勢(shì)壘電容組成。

55、所以Fm的值主要取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小。

56、若是超過(guò)此值。

57、則單向?qū)щ娦詫⑹苡绊憽?/p>

58、6，電壓溫度系數(shù)αuzαuz指溫度每升高一攝氏度時(shí)的穩(wěn)定電壓的相對(duì)變化量。

59、uz為6v左右的穩(wěn)壓二極管的溫度穩(wěn)定性較好。

本文分享完畢，希望對(duì)大家有所幫助。

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