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內(nèi)存ram和rom的區(qū)別(rom ram區(qū)別)

導(dǎo)讀 關(guān)于內(nèi)存ram和rom的區(qū)別,rom ram區(qū)別這個(gè)問題很多朋友還不知道,今天小六來為大家解答以上的問題,現(xiàn)在讓我們一起來看看吧!1、RAM(Rando

關(guān)于內(nèi)存ram和rom的區(qū)別,rom ram區(qū)別這個(gè)問題很多朋友還不知道,今天小六來為大家解答以上的問題,現(xiàn)在讓我們一起來看看吧!

1、RAM(Random Access Memory)的全名為隨機(jī)存取記憶體,它相當(dāng)于PC機(jī)上的移動(dòng)存儲(chǔ),用來存儲(chǔ)和保存數(shù)據(jù)的。

2、它在任何時(shí)候都可以讀寫,RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運(yùn)行程序的臨時(shí)存儲(chǔ)介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。

3、不過,當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)RAM不能保留數(shù)據(jù),如果需要保存數(shù)據(jù),就必須把它們寫入到一個(gè)長期的存儲(chǔ)器中(例如硬盤)。

4、正因?yàn)槿绱?,有時(shí)也將RAM稱作“可變存儲(chǔ)器”。

5、RAM內(nèi)存可以進(jìn)一步分為靜態(tài)RAM(SRAM)和動(dòng)態(tài)內(nèi)存(DRAM)兩大類。

6、DRAM由于具有較低的單位容量價(jià)格,所以被大量的采用作為系統(tǒng)的主記憶。

7、ROM(Read Only Memory)的全名為唯讀記憶體,它相當(dāng)于PC機(jī)上的硬盤,用來存儲(chǔ)和保存數(shù)據(jù)。

8、ROM數(shù)據(jù)不能隨意更新,但是在任何時(shí)候都可以讀取。

9、即使是斷電,ROM也能夠保留數(shù)據(jù)。

10、但是資料一但寫入后只能用特殊方法或根本無法更改,因此ROM常在嵌入式系統(tǒng)中擔(dān)任存放作業(yè)系統(tǒng)的用途。

11、現(xiàn)在市面上主流的PDA的ROM大小是64MB以及128MB。

12、RAM和ROM相比,兩者的最大區(qū)別是RAM在斷電以后保存在上面的數(shù)據(jù)會(huì)自動(dòng)消失,而ROM就不會(huì)。

13、由于ROM不易更改的特性讓更新資料變得相當(dāng)麻煩,因此就有了Flash Memory的發(fā)展 ,F(xiàn)lash Memory具有ROM不需電力維持資料的好處,又可以在需要的時(shí)候任意更改資料 ,不過單價(jià)也比普通的ROM要高。

14、SRAM速度非???,是目前讀寫最快的存儲(chǔ)設(shè)備了,但是它也非常昂貴,所以只在要求很苛刻的地方使用,譬如CPU的一級(jí)緩沖,二級(jí)緩沖。

15、動(dòng)態(tài)RAM(Dynamic RAM/DRAM)保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短,速度也比SRAM慢,不過它還是比任何的ROM都要快,但從價(jià)格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多,計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的。

16、 DRAM分為很多種,常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,這里介紹其中的一種DDR RAM。

17、 DDR RAM(Date-Rate RAM)也稱作DDR SDRAM,這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。

18、這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存,而且它有著成本優(yōu)勢,事實(shí)上擊敗了Intel的另外一種內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)-Rambus DRAM。

19、在很多高端的顯卡上,也配備了高速DDR RAM來提高帶寬,這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

20、 內(nèi)存工作原理:內(nèi)存是用來存放當(dāng)前正在使用的(即執(zhí)行中)的數(shù)據(jù)和程序,我們平常所提到的計(jì)算機(jī)的內(nèi)存指的是動(dòng)態(tài)內(nèi)存(即DRAM),動(dòng)態(tài)內(nèi)存中所謂的"動(dòng)態(tài)",指的是當(dāng)我們將數(shù)據(jù)寫入DRAM后,經(jīng)過一段時(shí)間,數(shù)據(jù)會(huì)丟失,因此需要一個(gè)額外設(shè)電路進(jìn)行內(nèi)存刷新操作。

21、 具體的工作過程是這樣的:一個(gè)DRAM的存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的是0還是1取決于電容是否有電荷,有電荷代表1,無電荷代表0。

22、但時(shí)間一長,代表1的電容會(huì)放電,代表0的電容會(huì)吸收電荷,這就是數(shù)據(jù)丟失的原因;刷新操作定期對(duì)電容進(jìn)行檢查,若電量大于滿電量的1/2,則認(rèn)為其代表1,并把電容充滿電;若電量小于1/2,則認(rèn)為其代表0,并把電容放電,藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。

23、 ROM也有很多種,PROM是可編程的ROM,PROM和EPROM(可擦除可編程ROM)兩者區(qū)別是,PROM是一次性的,也就是軟件灌入后,就無法修改了,這種是早期的產(chǎn)品,現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了,而EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序,是一種通用的存儲(chǔ)器。

24、另外一種EEPROM是通過電子擦出,價(jià)格很高,寫入時(shí)間很長,寫入很慢。

25、 舉個(gè)例子,手機(jī)軟件一般放在EEPROM中,我們打電話,有些最后撥打的號(hào)碼,暫時(shí)是存在SRAM中的,不是馬上寫入通過記錄(通話記錄保存在EEPROM中),因?yàn)楫?dāng)時(shí)有很重要工作(通話)要做,如果寫入,漫長的等待是讓用戶忍無可忍的。

26、FLASH存儲(chǔ)器又稱閃存,它結(jié)合了ROM和RAM的長處,不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能,還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)(NVRAM的優(yōu)勢),U盤和MP3里用的就是這種存儲(chǔ)器。

27、在過去的20年里,嵌入式系統(tǒng)一直使用ROM(EPROM)作為它們的存儲(chǔ)設(shè)備,然而近年來Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系統(tǒng)中的地位,用作存儲(chǔ)Bootloader以及操作系統(tǒng)或者程序代碼或者直接當(dāng)硬盤使用(U盤)。

28、 目前Flash主要有兩種NOR Flash和NADN Flash。

29、NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣,用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼,這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。

30、NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù),它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進(jìn)行的,通常是一次讀取512個(gè)字節(jié),采用這種技術(shù)的Flash比較廉價(jià)。

31、用戶不能直接運(yùn)行NAND Flash上的代碼,因此好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flah以外,還作上了一塊小的NOR Flash來運(yùn)行啟動(dòng)代碼。

32、 一般小容量的用NOR Flash,因?yàn)槠渥x取速度快,多用來存儲(chǔ)操作系統(tǒng)等重要信息,而大容量的用NAND FLASH,最常見的NAND FLASH應(yīng)用是嵌入式系統(tǒng)采用的DOC(Disk On Chip)和我們通常用的"閃盤",可以在線擦除。

33、目前市面上的FLASH 主要來自Intel,AMD,F(xiàn)ujitsu和Mxic,而生產(chǎn)NAND Flash的主要廠家有Samsung和Toshiba及Hynix。

本文分享完畢,希望對(duì)大家有所幫助。

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