對過去事件和經歷的記憶定義了我們是誰，但形成這些情景記憶的能力會隨著年齡、某些癡呆癥和腦損傷而下降。然而，格拉斯哥大學的 Mircea van der Plas 和 Simon Hanslmayr 及其同事于 9 月 28日在開放獲取期刊PLOS Biology上發(fā)表的一項研究表明，低頻重復經顱磁刺激(或 rTMS)通過左前額葉皮層傳遞當記憶形成時，大腦可以通過降低低頻腦電波的功率來提高記憶性能。
根據目前對大腦和 rTMS 的影響的知識，研究人員假設它們可以改善情景記憶，并在此過程中為未來的記憶相關療法生成目標。
研究人員首先分析了 40 名被要求記住單詞列表的大學生的過去數據。一半的學生在嘗試記憶單詞時接受了左背外側前額葉皮層的慢速 rTMS，而另一半則接受了大腦控制區(qū)域的 rTMS。在一項新實驗中，研究人員收集了 24 名大學生的數據，他們在兩種 rTMS 條件下都執(zhí)行了類似的記憶任務。
對兩個數據集的分析表明，在左側前額葉皮層受到刺激時記憶的單詞的記憶性能更好。檢查在實驗過程中記錄的腦電圖數據，研究人員發(fā)現，應用于前額葉區(qū)域的慢速 rTMS 導致大腦頂葉區(qū)域的低頻 (β) 波功率降低，眾所周知，這與注意力和感知。
由于慢 rTMS 抑制大腦活動，而前額葉皮層抑制大腦的后部區(qū)域，van der Plas 和合著者推測慢 rTMS 抑制了頂葉區(qū)域的活動，從而增強了記憶單詞的編碼，并且從而提高了記憶力。
van der Plas 指出，“我們的電生理結果表明，額葉刺激會影響更廣泛的網絡，并通過抑制頂葉區(qū)域來改善記憶形成。這些是復雜但有趣的效應，需要進一步的實驗來更好地了解它們的神經基礎。”
Hanslmayr 補充說：“當我們在第一項研究中看到這些影響時，我們感到非常驚訝，該研究旨在調查一個不同的問題。因此，我們需要在第二個實驗中復制這些效果，看看這是否真實，而且看起來確實如此。”
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